用于无线电能传输装备的高效 GaN 功率变换器模块

发明者：
刘伟教授
理大电机及电子工程学系助理教授

此发明将氮化镓（GaN）芯片集成至高性能功率变换器，设计出具有低杂散电感和低开关损耗的闸极驱动器，它具有较小的振铃和电压过冲，确保了GaN平滑开关的实现，并采用绝缘金属基板印刷电路板（PCB）来降低热阻，同时确保电气隔离。

与绝缘闸双极晶体管、 硅基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）或碳化硅（SiC）MOSFET转换器相比，此GaN高电子迁移率晶体管变换器具有更高的效率、功率密度和开关频率；而与相同功率水平的GaN变换器相比，它亦拥有更好的驱动性能和更低的生产成本，有望促进其商业化。

同时，技术可应用于各种无线电力传输设施，包括电动汽车无线充电等高频高功率密度无线充电场景。