發明者:
劉偉教授
理大電機及電子工程學系助理教授
此發明將氮化鎵(GaN)晶片集成至高性能功率變換器,設計出具有低雜散電感和低開關損耗的閘極驅動器,它具有較小的振鈴和電壓過沖,確保了GaN平滑開關的實現,並採用絕緣金屬基板印刷電路板(PCB)來降低熱阻,同時確保電氣隔離。
與絕緣閘雙極晶體管、 矽基金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)或碳化矽(SiC)MOSFET轉換器相比,此GaN高電子遷移率晶體管變換器具有更高的效率、功率密度和開關頻率;而與相同功率水準的GaN變換器相比,它亦擁有更好的驅動性能和更低的生產成本,有望促進其商業化。
同時,技術可應用於各種無線電力傳輸設施,包括電動汽車無線充電等高頻高功率密度無線充電場景。
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